下一代半导体存储器，迎来新打破！

（原标题：下一代半导体存储器，迎来新打破！）

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议论东说念主员开荒了一种新的制造技巧，不祥在低温下坐褥高质地的氧化膜和有用的图案化，并制造出非易失性电阻式立地存取存储器。通过克服现存制造技巧的谬误并开荒具有出色耐用性的存储器，它有望用于下一代臆度系统。

最近，数据密集型臆度系统（举例东说念主工智能、大数据和物联网（IoT）建造）的发展加多了对新一代非易失性存储器的需求，这种存储用具有出色的耐用性、更高的入手速率、且功耗低。电阻式立地存储器是存储器的一种，通过电流变嫌存储信息。

溶液工艺技巧看成一种开荒电阻式立地存取存储器的步伐而备受激情，它不错兑现大面积的经济高效制造。然则，它的谬误是只可在高温下责任，况且酿成均匀的图案具有挑战性。

该议论小组由电子工程与臆度机科学系的Hyuk-jun Kwon发挥带领，该议论的第一作家是Bong-ho Jang。

Kwon发挥的团队将燃烧合成技巧与溶液工艺相伙同，克服了这些谬误。燃烧合成技巧运用放热反映，运用燃烧历程中产生的热量来合成材料。因此，杠杆比例该技巧有助于惩办溶液历程的谬误，因为不需要从外部提供高温。

Kwon发挥的团队将该技巧应用于溶液工艺的前体，即使在较低的温度下，也能通过与紫外线的光化学反映赢得高质地的氧化锆(ZrO 2 )薄膜和光图案化适度。

此外，议论团队还运用该技巧坐褥了电阻式立地存取存储器。所制造的电阻式立地存储用具有昭着的耐用性，在高温环境下可耐受向上1，000次轮回，并保留数据向上100，000秒。

此前，Kwon发挥的议论团队已应用燃烧合成技巧在低温下坐褥SnO2 薄膜晶体管。这项议论通过克服现存惩办决策工艺技巧的局限性并开荒出一种新式的电阻式立地存取存储器，扩大了该技巧的应用边界。

电气工程与臆度机科学系的权发挥暗示：“这是昭着改善现存溶液工艺技巧问题的适度。它也有望为下一代密集臆度系统和基于溶液工艺的电子家具的大范畴坐褥作念出孝顺。”建造。”

该议论发表在《材料科学与技巧杂志》上。

英文原文

https://techxplore.com/news/2024-03-team-generation-semiconductor-memory-extreme.html

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